H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-RDC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,88 $2,70
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb (1 GB)
Organización de memoria 1G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulado FBGA-78 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
Sin halógenos Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Velocidad de datos — up to 2666 Mbps
Tensión de alimentación — 1.2 V (VDD)
Interfaz — DDR4 (JEDEC standard)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Sin halógenos — Yes
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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