H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NCJR-UHC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.88 | $2.70 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | x8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| RoHS Code | Yes | — |
| REACH Compliance | Yes (per distributor record) | — |
| Lead-Free | Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Part Life Cycle Code | Active | — |
| Access Type | Synchronous, both clock edges (DDR) | — |
| Memory Configuration | Bank-group architecture DDR4 | — |
| Die Revision | CJR (C-die family) | — |
| Manufacturer | SK hynix Inc. | — |
| 데이터 속도 | — | up to 2666 Mbps |
| 공급 전압 | — | 1.2 V (VDD) |
| 인터페이스 | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Compliant |