H5AN8G8NCJR-UHC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-UHC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,88 $2,70
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb (1 GB)
Organisation de la mémoire 1G x 8 x8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Yes (per distributor record) —
Lead-Free Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free) —
Sans halogène Yes —
Part Life Cycle Code Active —
Access Type Synchronous, both clock edges (DDR) —
Memory Configuration Bank-group architecture DDR4 —
Die Revision CJR (C-die family) —
Manufacturer SK hynix Inc. —
Débit de données — up to 2666 Mbps
Tension d'alimentation — 1.2 V (VDD)
Interface — DDR4 (JEDEC standard)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Sans halogène — Yes
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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