H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-VKI por SK hynix y H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-VKI | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,85 | $2,70 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | up to 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| Interfaz | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile | Yes | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Technology | CMOS | — |
| Product Family | H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| Organización de memoria | — | x8 |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |