H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKI par SK hynix et H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-RDC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,85 $2,70
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gb —
Memory Organization 1G x8 —
Débit de données 2666 Mbps up to 2666 Mbps
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V (VDD)
Interface Parallel DDR4 (JEDEC standard)
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
Boîtier FBGA-78 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (I suffix) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Density — 8 Gb (1 GB)
Organisation de la mémoire — x8
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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