H5AN8G8NCJR-VKI vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-VKI メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI - DDR4 8Gb 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NCJR-VKI H5AN8G8NCJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.85 $2.70
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb —
Memory Organization 1G x8 —
データレート 2666 Mbps up to 2666 Mbps
電源電圧 1.2 V 1.2 V (VDD)
インターフェース Parallel DDR4 (JEDEC standard)
Memory Format DRAM —
Volatile Yes —
パッケージ FBGA-78 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (I suffix) —
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
Technology CMOS —
Product Family H5AN8G8NCJR-xxC/xI DDR4 SDRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Density — 8 Gb (1 GB)
メモリ構成 — x8
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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