H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NDJR-XNC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NDJR-XNC | H5AN8G8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,50 | $30,69 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (1 G x 8) | 8 Gbit |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Interfaz | Parallel | DDR4 (8-bit data interface) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (I/O clock) | 1.6 GHz |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status | Active | — |
| Organización de memoria | — | 1 Gb x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal) |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0 C to +85 C |
| Architecture | — | Bank-group based DDR4 |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Calibration | — | ZQ calibration, write leveling |
| Error Handling | — | CRC function |
| Reset | — | Asynchronous reset |
| Data Mask | — | Data mask function |
| Current - Operating | — | 39 mA |
| Current - Standby | — | 30 mA |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes |