H5AN8G8NDJR-XNC vs H5AN8G8NCJR-XNC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NDJR-XNC メーカー: SK hynix および H5AN8G8NCJR-XNC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NDJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NCJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 SDRAM, x8, FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-XNC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NDJR-XNC H5AN8G8NCJR-XNC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $24.50 $30.69
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (1 G x 8) 8 Gbit
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Operating Temperature (TC) 0°C to +95°C —
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA, 7.5 mm x 11 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Organization 1G x 8 —
インターフェース Parallel DDR4 (8-bit data interface)
Clock Frequency 1.6 GHz (I/O clock) 1.6 GHz
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tray —
Status Active —
メモリ構成 — 1 Gb x 8
電源電圧 — 1.14 V to 1.26 V (1.2 V nominal)
動作温度 — 0 C to +85 C
Architecture — Bank-group based DDR4
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Calibration — ZQ calibration, write leveling
Error Handling — CRC function
Reset — Asynchronous reset
Data Mask — Data mask function
Current - Operating — 39 mA
Current - Standby — 30 mA
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes

データシート&リソース

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