H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,50 $0,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organización de memoria 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Tipo de interfaz Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Estado del ciclo de vida Active production —
Interfaz — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

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