H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix e H5ANAG6NCR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,50 $0,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) 16 Gbit
Organização da memória 1G x 16 2G x 8
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) 96-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] —
Tipo de interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Status do ciclo de vida Active production —
Interface — DDR4 (Double Data Rate 4)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Taxa de dados — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS
Application — Main memory (PC / server / embedded)

Fichas técnicas e recursos

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