H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $70,20 $4,50
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organización de memoria x16 (1G x 16) 1G x 16
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Encapsulado FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Number of Terminals 96 balls —
Temperatura de funcionamiento 0C to 85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

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