H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NAMR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $4,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) 1G x 16
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Type d'interface — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Statut du cycle de vie — Active production

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis