H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $70,20 $8,09
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 4 Gb
Organización de memoria x16 (1G x 16) 256M x 16
Tensión de alimentación 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Encapsulado FBGA-96 PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Number of Terminals 96 balls —
Temperatura de funcionamiento 0C to 85C -40C to +95C
Tipo de montaje Surface Mount —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Data Mask Yes Supported (DM function)
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes Supported
Estado RoHS Compliant RoHS Compliant
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Interfaz — DDR4 (CMOS)
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

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