H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG6NCR-PBC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $70.20 | $8.09 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16Gb (2GB) | 4 Gb |
| 메모리 구성 | x16 (1G x 16) | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Transfer Rate | 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) | — |
| 패키지 | FBGA-96 | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 balls | — |
| 동작 온도 | 0C to 85C | -40C to +95C |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| Data Mask | Yes | Supported (DM function) |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Supported |
| RoHS 상태 | Compliant | RoHS Compliant |
| Maximum Standby Current | [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 인터페이스 | — | DDR4 (CMOS) |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |