H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $8,09
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) 4 Gb
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) 256M x 16
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C -40C to +95C
Type de montage Surface Mount —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
Data Mask Yes Supported (DM function)
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes Supported
Statut RoHS Compliant RoHS Compliant
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Interface — DDR4 (CMOS)
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Fiches techniques et ressources

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