H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NAMR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NAMR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Mobile LPDDR4 Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,20 $4,50
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit (2 GB)
Organización de memoria 1G x 16 1G x 16
Interfaz CMOS, Double Data Rate IV —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA-96) FBGA-96 (PBGA96)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] 1.2 V
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Power Class — Normal Power
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
Tipo de interfaz — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Estado del ciclo de vida — Active production

Hojas de datos y recursos

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