H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Mobile LPDDR4 DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,20 $8,09
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 256M x 16
Interfaz CMOS, Double Data Rate IV DDR4 (CMOS)
Encapsulado FBGA-96 (PBGA-96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating temperature range] -40C to +95C
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] Auto / Self Refresh
Tipo de montaje Surface Mount —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Density — 4 Gb
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Data Mask — Supported (DM function)
Asynchronous Reset — Supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Supported
Write Leveling — Supported
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

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