H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Mobile LPDDR4 DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $8,09
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 256M x 16
Interface CMOS, Double Data Rate IV DDR4 (CMOS)
Boîtier FBGA-96 (PBGA-96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating temperature range] -40C to +95C
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] Auto / Self Refresh
Type de montage Surface Mount —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] RoHS Compliant
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers —
Density — 4 Gb
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Data Mask — Supported (DM function)
Asynchronous Reset — Supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Supported
Write Leveling — Supported
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Fiches techniques et ressources

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