H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5ANAG6NCR-UHC от SK hynix и H5ANAG6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5ANAG6NCR-UHC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Mobile LPDDR4 | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,20 | $8,09 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 16 Gb (2 GB) | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | 256M x 16 |
| Интерфейс | CMOS, Double Data Rate IV | DDR4 (CMOS) |
| Корпус | FBGA-96 (PBGA-96) | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Die Revision | C | — |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | -40C to +95C |
| Configuration | 1 Channel, 1 Rank | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh scheme] | Auto / Self Refresh |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS Compliant |
| Factory Packing Quantity | [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] | — |
| Application | Main memory, embedded computing, industrial controllers | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Write Leveling | — | Supported |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |