H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCMR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCJR-XNC | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $65,63 | $8,05 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Node | 1z nm (non-EUV) | — |
| Die Bit Density | 0.296 Gb/mm2 | — |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | 25.6 GB/s at DDR4-3200 | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Base Part Number Family | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) | — |
| Speed Grade Suffix | -XNC (0~95C commercial) | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |