H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCMR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5ANAG8NCJR-XNC от SK hynix и H5ANAG8NCMR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Активен
SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCMR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $65,63 $8,05
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
Организация памяти 2G x 8 —
Скорость передачи данных 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Корпус FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Рабочая температура 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
Размер памяти — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену