H5ANAG8NCJR-XNC vs H5ANAG8NCMR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG8NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5ANAG8NCMR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 生産中
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H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCMR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $65.63 $8.05
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
メモリ構成 2G x 8 —
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200) 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-78
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Node 1z nm (non-EUV) —
Die Bit Density 0.296 Gb/mm2 —
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) 25.6 GB/s at DDR4-3200 —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Base Part Number Family H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) —
Speed Grade Suffix -XNC (0~95C commercial) —
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — 2G x 8
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Speed Grade — VK (per SK hynix speed-bin suffix)
Power Class — Normal Power
Bank Groups — 4
Banks Total — 16
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin]
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]
Manufacturer Process — CMOS DRAM

データシート&リソース

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