H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,05 $8,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Velocidad de datos 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Encapsulado FBGA-78 FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gbit
Organización de memoria — 2G x 8
Tensión de alimentación — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización