H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix e H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,05 $8,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Taxa de dados 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Encapsulamento FBGA-78 FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gbit
Organização da memória — 2G x 8
Tensão de alimentação — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fichas técnicas e recursos

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