H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,05 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Débit de données 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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