H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix y H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCMR-VKC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,05 | $65,63 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gbit |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |