H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NCJR-XNC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5ANAG8NCMR-VKC от SK hynix и H5ANAG8NCJR-XNC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCJR-XNC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,05 $65,63
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Скорость передачи данных 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) 3200 MT/s (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Корпус FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gbit
Организация памяти — 2G x 8
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену