H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCR-RDC por SK hynix y H5ANAG8NCJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCR-RDC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,00 | $65,63 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) | — |
| Family | H5ANAG8N 16Gb DDR4 | — |
| Application Segment | Main memory (server, networking, industrial, embedded) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |