H5ANAG8NCR-RDC vs H5ANAG8NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG8NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCR-RDC | H5ANAG8NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,00 | $65,63 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (fully synchronous, both clock edges) | — |
| Family | H5ANAG8N 16Gb DDR4 | — |
| Application Segment | Main memory (server, networking, industrial, embedded) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Max Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate in MT/s] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Débit de données | — | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Process Node | — | 1z nm (non-EUV) |
| Die Bit Density | — | 0.296 Gb/mm2 |
| Peak Bandwidth (per 64-bit channel) | — | 25.6 GB/s at DDR4-3200 |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Base Part Number Family | — | H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM) |
| Speed Grade Suffix | — | -XNC (0~95C commercial) |