H5TC4G63AFR-G7A vs K4B4G1646D-BYK00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix y K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5TC4G63AFR-G7A | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $7,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1600 Mbps |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (case) | 0°C to 85°C |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 11) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Process Technology | CMOS | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |