H5TC4G63AFR-G7A vs K4B4G1646D-BYK00 比較
詳細な並列比較: H5TC4G63AFR-G7A メーカー: SK hynix および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | H5TC4G63AFR-G7A | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| データレート | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1600 Mbps |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (case) | 0°C to 85°C |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 11) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Refresh Period | 7.8us at 85°C | — |
| On-Die Termination | Supported | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| Process Technology | CMOS | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |