H5TC4G63AFR-PBA vs NDL46PFG-8KIT Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix y NDL46PFG-8KIT por Insignis Technology Corporation. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Activo
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63AFR-PBA NDL46PFG-8KIT
Marca SK hynix Insignis Technology Corporation
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,98 $6,60
Tipo de memoria DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organización de memoria 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Velocidad de datos 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps
Encapsulado 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (Tcase) —
Interfaz 16-bit I/O Parallel
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Ancho del bus de datos — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Latencia CAS — 20 ns
Tensión de alimentación — 1.35V (1.5V compatible)
Temperatura de funcionamiento — 95°C (max)
Tipo de montaje — Surface Mount
Access Time — 20 ns
On-Die Termination — Yes
Refresh Mode — Auto-refresh and self-refresh
Estado RoHS — Compliant

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