H5TC4G63AFR-PBA vs NDL46PFG-8KIT 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63AFR-PBA 제조: SK hynix 및 NDL46PFG-8KIT 제조: Insignis Technology Corporation. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 활성
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63AFR-PBA NDL46PFG-8KIT
브랜드 SK hynix Insignis Technology Corporation
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.98 $6.60
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
메모리 구성 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
데이터 속도 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps
패키지 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
동작 온도 범위 0°C to +95°C (Tcase) —
인터페이스 16-bit I/O Parallel
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
CAS 레이턴시 — 20 ns
공급 전압 — 1.35V (1.5V compatible)
동작 온도 — 95°C (max)
실장 유형 — Surface Mount
Access Time — 20 ns
On-Die Termination — Yes
Refresh Mode — Auto-refresh and self-refresh
RoHS 상태 — Compliant

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청