H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9A Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TC4G63CFR-H9I por SK hynix y H5TC4G63CFR-H9A por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9A
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $7,20 $6,50
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
Velocidad de datos 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Encapsulado 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
Sin halógenos Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Latencia CAS Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Estado RoHS — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

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