H5TC4G63CFR-H9I vs H5TC4G63CFR-H9A 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5TC4G63CFR-H9I 제조: SK hynix 및 H5TC4G63CFR-H9A 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9A
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.20 $6.50
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
공급 전압 1.35 V —
I/O Voltage 1.35 V —
데이터 속도 1866 Mbps (PC3-14900) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
패키지 96-ball TFBGA 96-ball TFBGA
Temperature Grade Industrial (-40°C to +95°C) —
Number of Terminals 96 96
Memory Width 16 bits —
Lead-Free Yes Yes
할로겐 프리 Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
CAS 레이턴시 Programmable (11, 12, 13) [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length 8 and 4 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
RoHS 상태 — Compliant
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청