H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix y MT41K256M16LY-107:N por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Activo
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
Marca SK hynix Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $8,10
Tipo de memoria DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
Encapsulado 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Tipo de montaje Surface Mount —
Velocidad de datos 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
Tamaño de memoria — 4 Gbit
Ancho del bus de datos — 16 bit
Frecuencia de reloj máxima — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Encapsulado / Carcasa — 96-FBGA (7.5x13.5)
Estilo de montaje — Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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