H5TQ4G63AFR-H9C vs MT41K256M16LY-107:N 对比

详细并排对比 H5TQ4G63AFR-H9C 出自 SK hynix 和 MT41K256M16LY-107:N 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 量产中

规格对比

参数 H5TQ4G63AFR-H9C MT41K256M16LY-107:N
品牌 SK hynix Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $8.10
存储器类型 DDR3 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gb —
存储组织 256M x 16 256M x 16
电源电压 1.5 V 1.35 V
Clock Speed (tCK) 0.255 ns —
封装 96-ball TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Refresh Cycles 8192 —
Number of Terminals 96 —
Temperature Grade OTHER —
RoHS Compliant Compliant
无卤 Yes —
安装类型 Surface Mount —
数据速率 3.9 Gbps per pin (approx) —
Ball Pitch 0.8 mm —
存储容量 — 4 Gbit
数据总线宽度 — 16 bit
最大时钟频率 — 933 MHz
Access Time — 20 ns
封装 / 外壳 — 96-FBGA (7.5x13.5)
安装方式 — Surface Mount
工作温度范围 — 0°C to +95°C (Tc)
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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