IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC100N04S6N015ATMA1 por Infineon y IAUC100N04S6N028ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Activo
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IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

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Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) 2.8 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction, typical) -55 °C to +175 °C
Encapsulado PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes
Estado RoHS — Compliant

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