IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6N015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUC100N04S6N028ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) 2.8 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction, typical) -55 °C to +175 °C
パッケージ PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8 (TDSON-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS 6 40V
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 400 A
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 1.5 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g in nC]
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C — 62 W
Automotive Qualified — Yes
RoHS ステータス — Compliant

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