IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUC100N04S6N028ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N04S6N015ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6N028ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6N028ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUC100N04S6N015ATMA1 | IAUC100N04S6N028ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-6 40V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) | 100 W | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) | 2.8 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction, typical) | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 6 40V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 400 A |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 1.5 V to 2.5 V |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g in nC] |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | — | 62 W |
| Automotive Qualified | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |