IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC100N04S6N015ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction, typical) -55 C to +175 C
Encapsulado PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-43
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

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