IAUC100N04S6N015ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 比較

詳細な並列比較: IAUC100N04S6N015ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N006ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N015ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 - 40V 175A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N006ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IAUC100N04S6N015ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $0.95
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-6 40V —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D @ T_C=25C) 100 A —
Power Dissipation (P_D @ T_C=25C) 100 W —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 1.5 mΩ (typical, per Infineon product page) —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
動作温度範囲 -55 C to +175 C (junction, typical) -55 C to +175 C
パッケージ PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-43
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

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