IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUC64N08S5L075ATMA1 por Infineon y IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUC64N08S5L075ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A (TJ-limited) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 7.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 75 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance Compliant Compliant
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Número de pines 8 —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización