IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC64N08S5L075ATMA1 par Infineon et IAUZN04S7L030ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUC64N08S5L075ATMA1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A (TJ-limited) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 7.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 75 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance Compliant Compliant
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Nombre de broches 8 —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel

Fiches techniques et ressources

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