IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC64N08S5L075ATMA1 por Infineon e IAUZN04S7L030ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUC64N08S5L075ATMA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A (TJ-limited) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 7.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 75 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance Compliant Compliant
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Número de pinos 8 —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel

Fichas técnicas e recursos

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