IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S6N009TATMA1 por Infineon y ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S6N009TATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,71 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Encapsulado PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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