IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN04S6N009TATMA1 par Infineon et ISC011N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUCN04S6N009TATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,71 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Boîtier PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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