IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7L028ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7N037GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Activo
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IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,88 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 2.80 mOhm at VGS=10 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 1.8 V (typ) —
Gate Charge (Qg) 24 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.578 nF [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) 788 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 36 pF —
Disipación de potencia (Ptot) 58 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

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