IAUCN04S7L028ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7L028ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N037GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L028ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7L028ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,88 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 7
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 2.80 mOhm at VGS=10 V —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.82 mOhm at VGS=10 V (JLCPCB reported) —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 1.8 V (typ) —
Gate Charge (Qg) 24 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 1.578 nF [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) 788 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 36 pF —
Рассеиваемая мощность (Ptot) 58 W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Статус RoHS Compliant Compliant
Technology — Trench MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену