IAUCN04S7N006ATMA1 vs IAUCN04S7L006ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUCN04S7N006ATMA1 por Infineon y IAUCN04S7L006ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUCN04S7N006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $1,38
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 175 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS-7 trench
Encapsulado PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-43
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Junction Temperature Max 175 C —
Power Dissipation Max (Pd) [DATA_NEEDED: Pd max] —
Gate Charge Total (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max — 0.6 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)
Estado RoHS — Compliant
Recuento de pines — 8
Packaging — Tape and Reel (ATMA1)
Polarity — Single N-Channel

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